Please be patient while the object screen loads.
Description | Size | Format | ||
---|---|---|---|---|
Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии | 745 KB | Adobe Acrobat PDF | View Details | Download |