Представлены результаты экспериментальных исследований темновых токов в средне- и длинноволновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Исследована роль поверхностной утечки в nBn-структурах при различных параметрах широкозонных барьерных слоёв и способах пассивации боковых стенок мезаструктур. Для лучших образцов проведено сравнение температурных зависимостей плотностей темнового тока с эмпирической моделью Rule07. The results of experimental studies of dark currents in mid-wave and long-wave infrared nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates are presented. The role of surface leakage in nBn structures has been investigated for various parameters of wide-gap barrier layers and methods of passivation of the side walls of mesa structures. For the best samples, the temperature dependences of the dark current densities are compared with empirical Rule07 model.