Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2019 | ионная имплантация

Add to Quick Collection   All 7 Results

Showing items 1 - 7 of 7.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Semiconductor science and technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The results from the electrical profiling of an n-on-p junction formed by 190-keV arsenic ion implantation in an indium/vacancy–doped Hg0.78Cd0.22Te film are presented. Mobility spectrum analysis in c ... More
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: In this paper experimental results of research of boron ion implantation into Hg1−x Cd x Te epitaxial films of various compositions x are presented. Samples of epitaxial films were grown by the method ... More
Source: International Workshop "Multiscale Biomechanics and Tribology of Inorganic and Organic Systems" ; Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; VIII Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием, посвященная 50-летию основания Института химии нефти "Добыча, подготовка, транспорт нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2019. С. 265
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: International Workshop "Multiscale Biomechanics and Tribology of Inorganic and Organic Systems" ; Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; VIII Всероссийская научно-практическая конференция с международным участием, посвященная 50-летию основания Института химии нефти "Добыча, подготовка, транспорт нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2019. С. 436-437
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
  • «
  • 1
  • »
^