Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2015 | адмиттанс

Add to Quick Collection   All 8 Results

Showing items 1 - 8 of 8.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well
Authors: Izhnin, I. I. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Fitsych, E. I.
Source: The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015) : abstracts book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference, 26-29 August 2015. Lviv, 2015. P. 364
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nesmelov, Sergey N. | Dzyadukh, Stanislav M.
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 735-736
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Grigoryev, Denis V. | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A. | Nesmelov, Sergey N.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 970-977
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The effect of the pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on the admittance of MIS structures based on MBE graded-gap p-Hg0.78Cd0.22Te is studied in a wide range of frequencie ... More
Add   Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 739-740
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
Authors: Korotaev, A. G. | Kokhanenko, Andrey P. | Nikiforov, A. I. | Pishchagin, A. A.
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 707-708
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Григорьев, Денис Валерьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 86-93
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Исследование светодиодов из AlGaInP методикой спектроскопии адмиттанса
Authors: Олейник, Владимир Леонидович
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 46-47
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Исследованы электрофизические характеристики МДП-структур на основе Cdx Hg1-xTe до и после воздействия рентгеновским излучением с энергией квантов в диапазоне E = 0,5 ÷ 12 кэВ. Показано, что воздейств ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Subject

Resource Type

^