На основе теории функции Грина в базисе локализованных орбиталей самосогласованным образом рассмотрена электронная структура локальных дефектов-вакансий в SnSe. Обсуждены происхождение, орбитальный состав электронных состояний в запрещенной зоне, резонансы и антирезонансы в валентной зоне, а также внесенное дефектом изменение электронной плотности.