Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures	219 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures
Creator: Valiev, K. I.
|
Zarubin, A. N.
|
Petrova, Yu. S.
|
Tolbanov, Oleg P.
|
Tyazhev, Anton V.
|
Yaskevich, T. M.
|
Kalygina, V. M.
Contributor: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Date: 2012

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Сибирский физико-технический институт | Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 8. P. 1003-1007
Language: eng

Created: 06-11-2012

1705 Visitors

1716 Hits

6 Downloads

Радиофизический факультет Electrical characteristics of n-GaAs-anode film-Ga2O3-metal structures