Исследуется ияние дефекто наведенных облучением быстрыми нейронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (p-Si) и контрольном p-Si методом измерения коэфициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда p-Si быстрее, чем p-Si. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.