Приведены результаты компьютерного моделирования основных транспортных характеристик наноструктур, полученных методом построчного удаления атомов углерода из графена. Исследование электрических характеристик проведено на основе теории функционала электронной плотности с применением метода неравновесных гриновских функций и аппроксимации локальной плотности, реализованной в программе Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab. Рассчитаны спектры пропускания наноструктур при различных значениях напряжения смещения, вольт-амперные характеристики (ВАХ) и дифференциальная проводимость. Показано, что ВАХ рассматриваемых наноструктур имеют значительный участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный резонансным туннелированием квазичастиц. Эти же изменения наблюдаются и на dI/dV-характеристике. Полученные результаты могут быть полезными при расчетах новых перспективных электронных приборов наноэлектроники.