Методом ионной адсорбции и реакции получены тонкие пленки и наночастицы InSe. При помощи сканирующего электронного микроскопа и атомного силового микроскопа проведены исследования формы и размеров полученных наночастиц. Определены основные параметры исследованных структур, размеры наночастиц (4–20 нм), ширина запрещенной зоны (Еg = 1.60 эВ) наночастиц с наименьшими размерами. Под действием лазерного излучения обнаружены сверхбыстрая релаксация фототока (1.5·10–8 с) и стимулированное излучение с полушириной 8 Å.