Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Прудаев, Илья Анатольевич | квантовые ямы

Add to Quick Collection   All 16 Results

Showing items 1 - 15 of 16.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum E ... More
Add   Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Брудный, Валентин Натанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэф ... More
Add   Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 194-196
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
Authors: Копьев, Виктор Васильевич | Романов, Иван Сергеевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 175-177
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Саркисов, Сергей Юрьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 2. С. 47-51
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Иван Сергеевич | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 48-51
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN
Authors: Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Исупова, Ольга Владимировна | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Гермогенов, Валерий Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 177-180
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlхGa1-х)0,5In0,5P/(AlyGa1-y)0,5In0,5P
Authors: Скакунов, Максим Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Горлачук, Павел Владимирович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 44-47
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs
Authors: Горлачук, Павел Владимирович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Брудный, Валентин Натанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8. С. 40-43
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Description: В статье указана фамилия М. А. Леликов
Add   Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Олейник, Владимир Леонидович | Ширапов, Сергей Баирович | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 150-152
Type: статьи в журналах
Date: 2013

Creator

Date

Subject

Resource Type

^