С использованием метода рамановской спектроскопии исследована морфология фазового состава кремния внутри отпечатка индентора с пространственным разрешением ~ 200 нм. Обнаружено подавление эффективности образования фаз Si-XII, Si-III и a-Si, индуцируемое облучением бета-частицами от источника 90^Sr + 90^Y (флюенс F = 3,6⋅10^10 cм^(–2)).