Add to Quick Collection
All 4 Results
Showing items 1 - 4 of 4.
Add All Items to Quick Collection
Source: Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78-86
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком
... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб
... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барье
... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур
... More