Изготовлены nBn-структуры на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 мкм. Представлены результаты исследований темнового тока и адмиттанса nBn-структур, а также адмиттанса тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур. Установлены механизмы темновых токов при различных параметрах барьерных слоев.