В работе приводятся результаты экспериментального исследования NBvN-структур созданных на основе эпитаксиальной пленки твердых растворов теллурида кадмия и ртути (Hg1-xCdxTe) с содержанием CdTe x=0.303 в поглощающем ν-слое толщиной 4.4 мкм, перспективных для создания эффективных приемников излучения среднего (3-5 мкм) инфракрасного диапазона, работающих при повышенных температурах.
Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2022. Т. 2 : Секция 3. С. 720-721