Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | кадмий-ртуть-теллур | статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 5 Results

Showing items 1 - 5 of 5.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 9. С. 106-121
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: В работе, состоящей из двух частей, представлено детальное рассмотрение предложенного авторами метода дискретного анализа спектра подвижности и его применения для исследования параметров носителей зар ... More
Add   Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 10. С. 98-113
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: В работе, состоящей из двух частей, подробно рассмотрен предложенный авторами метод дискретного анализа спектров подвижности и его применение для определения параметров носителей заряда в CdHgTe. Перв ... More
Add   Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. ... More
Add   Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
Authors: Костюченко, Владимир Яковлевич | Протасов, Дмитрий Юрьевич | Андрусов, Юрий Борисович | Денисов, Игорь Андреевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Изучена фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках кадмий – цинк – теллур. Из магнитополев ... More
Add   Влияние профиля варизонных приграничных облаcтей гетероструктур кадмий – ртуть – теллур p-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации
Authors: Костюченко, Владимир Яковлевич | Протасов, Дмитрий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 7. С. 53-58
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий – ртуть – теллур p-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным из ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^