Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 99
Language
rus
1320 Visitors1035 Hits301 Downloads
Радиофизический факультет
Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава