Add to Quick Collection
All 5 Results
Showing items 1 - 5 of 5.
Add All Items to Quick Collection
Source: Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78-86
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком
... More
Source: Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75-83
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Проведено исследование адмитансных характеристик структуры металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), в качестве полупроводника в которой использовалась nBn-структура на основе эпитаксиальных слоев Hg1-x C
... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб
... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 3. С. 37-42
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBvN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувст
... More
Authors:
Горн, Дмитрий Игоревич |
Ижнин, Игорь Иванович |
Ижнин, Александр Иванович |
Гольдин, Виктор Данилович |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Сидоров, Юрий Георгиевич |
Якушев, Максим Витальевич |
Варавин, Василий Семенович |
Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012