Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Горн, Дмитрий Игоревич
|
Войцеховский, Александр Васильевич
|
светодиоды
|
2015
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
582 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
Creator
Войцеховский, Александр Васильевич
Creator
Горн, Дмитрий Игоревич
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Subject
квантовые ямы
полупроводники
светодиоды
нитрид галлия
Date
2015
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000522392
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522392
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Language
rus
1601 Visitors
1162 Hits
451 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
^ DIV >