Add to Quick Collection
All 2 Results
Showing items 1 - 2 of 2.
Add All Items to Quick Collection
Source: Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75-83
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Проведено исследование адмитансных характеристик структуры металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), в качестве полупроводника в которой использовалась nBn-структура на основе эпитаксиальных слоев Hg1-x C
... More
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403-409
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Mid- and long-wave infrared nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates were fabricated. For mid-wave nBn structures, the composition in the absorbing
... More