Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface
393 KB
Adobe Acrobat PDF
Read
Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя
10.1007/s11182-020-02035-1
#квантовые точки
#кремний
#германий
#оксид кремния
#наногетероструктуры
#молекулярно-лучевая эпитаксия
#критическая толщина
#поверхностная плотность
#функция распределения по размерам
#Фольмера-Вебера механизм
Title
Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface
Creator
Kokhanenko, Andrey P.
|
Akimenko, Nataliya Yu.
|
Dirko, Vladimir V.
|
Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
Lozovoy, Kirill A.
Date
2020
DOI
10.1007/s11182-020-02035-1
Description
Epitaxial growth of germanium quantum dots on an oxidized silicon surface is considered. A kinetic model of
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Научное управление
|
Радиофизический факультет
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302
Language
eng
Created: 04-03-2021
3968 Visitors
3676 Hits
344 Downloads
Радиофизический факультет
Научное управление
Growth of germanium quantum dots on oxidized silicon surface
^ DIV >