Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 10 Results

Showing items 1 - 10 of 10.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 301
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Type: учебные издания
Date: 2023
Description: Рассмотрено явление фотопроводимости в полупроводниках. Даны общие сведения о гетероструктурах и различных типах наноструктур. Особое внимание уделено квантовым точкам, их энергетической структуре и о ... More
Source: Journal of communications technology and electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308-312
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Dark currents in medium-wave nBn structures based on HgCdTe grown with the aid of molecular beam epitaxy on the (013) GaAs substrates are studied. The passivation of the surface of the side walls of t ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 5. С. 42-48
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Описывается поведение многослойного фотодетектора с квантовыми точками германия в кремнии и его параметры при различных рабочих режимах. Рассматриваются вопросы оптимизации условий роста в методе моле ... More
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 5. P. 763-769
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Two types of long-wave infrared nBn-structures based on mercury cadmium telluride grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates have been fabricated. For each type of device, the side walls ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 223-224
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: The work discusses multilayer infrared photodetectors with quantum dots of germanium on silicon. It compares the theoretical calculations results of the dark current density of multilayer photodetecto ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стен ... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур ... More
Source: Infrared physics and technology. 2019. Vol. 102. P. 103035 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: The unipolar MWIR nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs (0 1 3) substrates were created. The CdTe content in the barrier layer varied from 0.67 to 0.84 for various sam ... More
Source: Opto-electronics review. 2018. Vol. 26, № 3. P. 195-200
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: In this paper questions of optimization of growth conditions in the method of molecular beam epitaxy for creation of high-efficient quantum dot infrared photodetectors are considered. As a model mater ... More
  • «
  • 1
  • »

Date

^