Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Vasilev, Vladimir V. | Varavin, Vasilii S. | Dvoretsky, Sergei A. | Mikhailov, Nikolay N. | Yakushev, Maxim V. | Nesmelov, Sergey N.

Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241

Type: статьи в журналах

Date: 2015

Description: Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten ... More

Authors: Izhnin, Igor I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Korotaev, A. G. | Fitsych, Olena I. | Pociask-Bialy, Malgorzata | Dvoretsky, Sergei A. | Mynbaev, Karim D.

Source: Opto-electronics review. 2015. Vol. 23, № 3. P. 200-207

Type: статьи в журналах

Date: 2015

Description: Studies of background donor concentration (BDC) in HgCdTe samples grown with different types of technology were performed with the use of ion milling as a means of eliminating the compensating accepto ... More

Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272

Type: статьи в журналах

Date: 2015

Description: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д ... More