Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза

doi:10.17223/00213411/64/9/3

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

2021 | свинец

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза	814 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/64/9/3

#молекулярно-лучевая эпитаксия

Title: Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза
Creator: Лозовой, Кирилл Александрович
|
Дирко, Владимир Владиславович
|
Винарский, Владимир Петрович
|
Коханенко, Андрей Павлович
|
Войцеховский, Александр Васильевич
|
Акименко, Наталья Юрьевна
Date: 2021
DOI: 10.17223/00213411/64/9/3
Description: Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качестве одних из самых перспективных материалов для наноэлектроники и фотоники следующего поколения. Исследование возможностей создания приборов на основе 2D-материалов позволяет глубже изучить физические свойства этих новых материалов и дает отправную точку для развития огромного числа практически важных областей. Последние несколько лет повышенное внимание исследователей привлекают графеноподобные материалы элементов группы IVA, такие как силицен (Si), германен (Ge), станен (Sn) и плюмбен (Pb). Экспериментальное получение и изучение уникальных свойств двумерных моноатомных слоев углерода, кремния, германия, олова и свинца на различных подложках создало предпосылки для разработки приборов нового поколения на их основе. Широкие возможности по управлению их экзотическими электронными, магнитными и оптическими свойствами за счет выбора подложки, состава и геометрии двумерного слоя, а также за счет управления величиной упругих напряжений сделали их центральной темой для изучения в сфере нанотехнологий и наук о материалах. В настоящей работе проводится обзор последних достижений в области выращивания силицена, германена, станена и плюмбена эпитаксиальными методами. Особое внимание уделяется технологическим режимам роста, обеспечивающим получение высококачественных бездефектных двумерных структур большой площади, необходимых для перспективных приборных применений.