Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

дефекты | полупроводниковые гетероструктуры

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур	501 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#МДП-структуры

#электрофизические исследования

#дефекты

#приповерхностные слои

#полупроводниковые гетероструктуры

#адмиттанс

Title: Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Варавин, Василий Семенович
|
Васильев, Владимир Васильевич
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
Date: 2017

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 58
Language: rus

Created: 13-03-2018

7506 Visitors

7196 Hits

385 Downloads

Радиофизический факультет

Сибирский физико-технический институт Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур