Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

электроны | 2020

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры	491 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/63/4/8

Title: Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры
Creator: Расулов, Вохоб Рустамович
|
Мамадалиева, Наргиза Зокиржон кизи
|
Султанов, Равшан Рустамович
|
Расулов, Рустам Явкачович
Date: 2020
DOI: 10.17223/00213411/63/4/8
Description: Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдается осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена интерференцией волн де Бройля, идущих к барьеру и отраженных от потенциального барьера. Проанализированы электронные состояния многослойной полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся потенциальных ям и барьеров.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 8-15
Language: rus