Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2016

Add to Quick Collection   All 8 Results

Showing items 1 - 8 of 8.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Halogen adsorption at an As-stabilized β2-GaAs (001)-(2×4) surface
Authors: Bakulin, Alexander V. | Kulkova, Svetlana E.
Source: Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 2. P. 171-179
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Halogen (F, Cl, Br, and I) adsorption at an As-stabilized GaAs (001) surface with the β2–(2 × 4) reconstruction is studied using the plane-wave projected-augmented wave method. The effect of halogens ... More
Add   Pressure-induced topological phases of KNa2Bi
Authors: Sklyadneva, I. Yu. | Heid, Rolf | Bohnen, Klaus Peter | Echenique, Pedro Miguel | Chulkov, Evgueni V. | Rusinov, I. P.
Source: Scientific Reports [Еlectronic resource]. 2016. Vol. 6. P. 24137 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: We report an ab initio study of the effect of hydrostatic pressure and uniaxial strain on electronic properties of KNa2Bi, a cubic bialkali bismuthide. It is found that this zero-gap semimetal with an ... More
Add   Synthesis and Bridgman growth of Ga2S3 crystals
Authors: Kokh, Konstantin A. | Lapin, Ivan N. | Svetlichnyi, Valerii A. | Galiyeva, Perizat | Bakhadur, Askar | Andreev, Yury M.
Source: Key engineering materials. 2016. Vol. 683. P. 71-76
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: In this work, Ga2S3 crystals were obtained by vertical Bridgman method. The presence of cracks in the grown crystals was interpreted as a result of phase transition into monoclinic structure during co ... More
Add   К теории сдвигового линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении
Authors: Расулов, Рустам Явкачович | Расулов, Вохоб Рустамович | Эшболтаев, Икболжон Мамиржонович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 1. С. 77-82
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Теоретически проанализировано возникновение тока сдвигового линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках без центра симметрии со сложной зонной структурой. ... More
Add   О механизме орто-пара-конверсии молекулярного водорода в полупроводниках
Authors: Мельников, Владлен Владимирович | Лавров, Эдуард Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 12. С. 166-167
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Add   Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении
Authors: Куликов, Виктор Дмитриевич | Яковлев, Виктор Юрьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 5. С. 123-127
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8–100 А/см². Наблюдается сверхлинейное уве ... More
Add   Разделение вкладов ионного остова и свободных носителей заряда в магнитную восприимчивость анизотропного полупроводникового кристалла Bi2Te3–Sb2Te3
Authors: Степанов, Николай Петрович | Наливкин, Вячеслав Юрьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 1. С. 70-76
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Add   Солитонные возмущения ядра заряженной дислокации в полупроводниковом кристалле
Authors: Гестрин, Сергей Геннадьевич | Щукина, Елена Вячеславовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 12. С. 144-149
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Рассмотрены волновые процессы в дырочном газе, находящемся в электрическом поле, созданном распределением заряда доноров и акцепторов вблизи отрицательно заряженной дислокации в полупроводниковом крис ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^