Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении	490 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#полупроводники

#поглощение света носителями заряда

#электронные пучки

#дефекты кристаллов

Title: Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении
Creator: Куликов, Виктор Дмитриевич
|
Яковлев, Виктор Юрьевич
Date: 2016
Description: Исследован процесс поглощения света свободными электронами в кристаллическом сульфиде кадмия при облучении наносекундным электронным пучком с плотностью тока 8–100 А/см². Наблюдается сверхлинейное увеличение оптического поглощения при переходе от плотности тока пучка ~ 8 к 12 А/см². Характер поглощения света термализованными электронами соответствует рассеянию на дефектах решетки. Увеличение показателя степенной функции поглощения света от длины волны с ростом плотности тока пучка связывается с одно- и двукратной ионизацией доноров и акцепторов. Сделан вывод, что накопление носителей заряда происходит без захвата на ловушки за счет их ударной ионизации вторичными электронами, энергия которых на стадии термализации сравнима с шириной запрещенной зоны кристалла. Рассчитаны сечение захвата электронов дырками при квадратичной рекомбинации ~ 10⁻²⁰ см², коэффициент оже-рекомбинации ~ 10⁻³¹ см6⋅с⁻¹, концентрация носителей составляет соответственно ~ 1.3⋅10¹⁸–1.5⋅10¹⁹ см⁻³.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 5. С. 123-127
Language: rus

Created: 21-11-2024

103 Visitors

71 Hits

38 Downloads

Журналы ТГУ Поглощение света свободными носителями заряда в кристаллическом CdS при интенсивном электронном облучении