Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрямительные свойства и в сравнении с пленками α-Ga2O3 обладают более высоким быстродействием при воздействии ультрафиолетового излучения. Ключевые слова: оксид галлия, оксид хрома, корунд, анизотипные гетероструктуры.