Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
нитрид галлия

Add to Quick Collection   All 8 Results

Showing items 1 - 8 of 8.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation
Authors: Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Kosobutsky, Alexey V. | Sarkisov, Sergey Yu.
Source: Physica status solidi B. 2015. Vol. 252, № 5. P. 946-951
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: In this paper the results of experiments on terahertz generation from nitride light-emitting diode heterostructures under twophoton excitation by femtosecond laser pulses are reported. Dependencies of ... More
Add   Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density
Authors: Prudaev, Ilya A. | Romanov, I. S. | Brudnyi, V. N. | Kopyev, V. V.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 5. P. 641-645
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Temperature dependence of quantum efficiency of blue LED structures based on multiple InGaN/GaN quantum wells is studied at different forward currents. At high current densities, an increase in the qu ... More
Add   Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 110-113
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Саркисов, Сергей Юрьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 2. С. 47-51
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 5. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN
Authors: Зубрилкина, Юлия Леонидовна | Исупова, Ольга Владимировна | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Гермогенов, Валерий Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 177-180
Type: статьи в журналах
Date: 2013
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

^