Authors: Dukhan, Rahaf M. H. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A.

Source: Proceedings of SPIE. 2021. Vol. 12086 : XV International Conference on Pulsed Lasers and Laser Applications, 2021, Tomsk, Russian Federation. P. 120861X-1-120861X-7

Type: статьи в журналах

Date: 2021

Description: This paper reports results of a theoretical study of multilayer Ge/Si infrared photodetector parameters calculations, these calculations are of certain characteristics of detectors such as: dark curre ... More

Authors: Rumyantsev, Vladimir V. | Razova, Anna A. | Fadeev, Mikhail A. | Utochkin, Vladimir V. | Mikhailov, Nikolay N. | Dvoretsky, Sergei A. | Gavrilenko, Vladimir I. | Morozov, Sergey V.

Source: Optical engineering. 2021. Vol. 60, № 8. 082007-1-082007-9

Type: статьи в журналах

Date: 2021

Description: Temperature-driven photoconductivity spectra are studied in HgCdTe thin films and quantum well (QW) heterostructures grown by molecular beam epitaxy (MBE). It is shown that the absorption edge steepne ... More

Authors: Бурмистров, Евгений Романович | Авакянц, Лев Павлович | Афанасова, Марина Михайловна

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 9-19

Type: статьи в журналах

Date: 2021

Description: Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью кото ... More

Authors: Давыдов, Валерий Николаевич | Лапин, Алексей Николаевич | Задорожный, Олег Федорович

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 3. С. 144-147

Type: статьи в журналах

Date: 2021

Description: Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения ре ... More