Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
2014
|
Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
462 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Creator
Прудаев, Илья Анатольевич
Creator
Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы
Creator
Романов, Иван Сергеевич
Creator
Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Subject
светодиоды
гетероструктуры
квантовые ямы
вольт-амперные характеристики
Date
2014
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000502136
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000502136
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Language
rus
1228 Visitors
966 Hits
284 Downloads
Preview
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
^ DIV >