Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 103 Results

Showing items 46 - 60 of 103.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Солнечные элементы на основе квантовых структур кремний-германий
Authors: Кравцова, Наталья Сергеевна
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 91-93
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges
Authors: Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 709-710
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems ... More
Add   Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond
Authors: Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Kosobutsky, Alexey V. | Sarkisov, Sergey Yu.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 2. P. 192-197
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experiments on the generation of terahertz radiation in the nitride LED structures at optical excitation by ultrashort laser pulses are presented. The dependences of the emission spectr ... More
Add   Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells
Authors: Prudaev, Ilya A. | Baktybaev, A. A. | Romanov, I. S. | Zubrilkina, Yu. L.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 9. P. 1246-1250
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of experimental studies of forward current–voltage characteristics of blue LEDs with an active region consisting of the multiple InGaN/GaN quantum wells are presented. A model explaining t ... More
Add   Influence of edge energy on modeling the growth kinetics of quantum dots
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Crystal growth and design. 2015. Vol. 15, № 3. P. 1055-1059
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy
Authors: Satdarov, Vadim G. | Kokhanenko, Andrey P. | Lozovoy, Kirill A. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
Authors: Korotaev, A. G. | Kokhanenko, Andrey P. | Nikiforov, A. I. | Pishchagin, A. A.
Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т.. М. [и др.], 2015. Т. 2. С. 707-708
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands
Authors: Yakimov, A. I. | Bloshkin, A. A. | Armbrister, V. A. | Kuchinskaya, P. A. | Dvurechenskii, A. V. | Kirienko, V. V.
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 106, № 3. P. 032104-1-032104-4
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We report on intraband photocurrent spectroscopy of dome-shaped GeSi islands embedded in a Si matrix with n+-type bottom and top Si layers. An in-plane polarized photoresponse in the 85–160 meV energy ... More
Add   Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots
Authors: Yakimov, A. I. | Armbrister, V. A. | Dvurechenskii, A. V. | Kirienko, V. V.
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 107, № 21. P. 213502-1-213502-4
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We study the effect of quantum dot size on the mid-infrared photo- and dark current, photoconductive gain, and hole capture probability in ten-period p-type Ge/Si quantum dot heterostructures. The dot ... More
Add   Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots
Authors: Yakimov, A. I. | Bloshkin, A. A. | Armbrister, V. A. | Dvurechenskii, A. V. | Kirienko, V. V.
Source: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 101, № 11. P. 750-753
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Electronic states in multilayer Ge/Si heterostructures with different periods of the arrangement of layers of Ge quantum dots have been studied by the photocurrent spectroscopy method. It has been fou ... More
Add   Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots
Authors: Yakimov, A. I. | Bloshkin, A. A. | Armbrister, V. A. | Dvurechenskii, A. V. | Kirienko, V. V.
Source: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 102, № 9. P. 594-598
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We study the effect of quantum dot size on the mid-infrared photocurrent, photoconductive gain, and hole capture probability in ten-period p-type Ge/Si quantum dot heterostructures. The dot dimensions ... More
Add   Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si
Authors: Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Source: Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля). М., 2015. С. 243-248
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Анализ улучшения параметров солнечных элементов на основе Si/Ge при внедрении массива квантовых точек Ge
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Кокорина, Виктория Валерьевна
Source: ВНКСФ-21 : Двадцать первая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Россия : материалы конференции : информационный бюллетень. Омск, 2015. С. 202-203
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич
Source: ВНКСФ-21 : Двадцать первая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Россия : материалы конференции : информационный бюллетень. Омск, 2015. С. 201-202
Type: статьи в сборниках
Date: 2015

Creator

Date

Subject

Resource Type

^