Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич

Source: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 128

Type: статьи в сборниках

Date: 2017

Authors: Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Паханов, Николай Андреевич

Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116

Type: статьи в журналах

Date: 2017

Description: Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива ... More

Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич

Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260

Type: статьи в сборниках

Date: 2017

Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More

Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич

Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27

Type: статьи в журналах

Date: 2017

Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More