Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
температурная зависимость
|
множественные квантовые ямы
Preview
Add to "Quick Collection"
Description
Size
Format
Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
449 KB
Adobe Acrobat PDF
Read
Download
#нитрид галлия
#множественные квантовые ямы
#носители заряда
#светодиоды
#квантовая эффективность
#температурная зависимость
#баллистический транспорт
#плотность тока
Title
Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
Creator
Прудаев, Илья Анатольевич
|
Романов, Иван Сергеевич
|
Брудный, Валентин Натанович
|
Копьев, Виктор Васильевич
Date
2015
Description
Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Физический факультет
|
Радиофизический факультет
|
Научное управление
|
Сибирский физико-технический институт
|
Журналы ТГУ
Identifier
смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Language
rus
Created: 13-06-2017
1366 Visitors
1132 Hits
263 Downloads
Радиофизический факультет
Физический факультет
Сибирский физико-технический институт
<
>
Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
^ DIV >