Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2021

Add to Quick Collection   All 11 Results

Showing items 1 - 11 of 11.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Infrared physics and technology. 2021. Vol. 114. P. 103665 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Carrier species in arsenic-implanted p– and n–type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The impl ... More
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 4. P. 2323-2330
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The effect of As+ ion implantation on the electrical properties of the near-surface layer of n-HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si (310) substrates was experimentally studied. A s ... More
Source: Vacuum. 2021. Vol. 189. P. 110230 (1-9)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: We report the study of commercially pure titanium (VТ1-0 alloy under Russian classification) in the submicrocrystalline state obtained by the abc-pressing method with the surface modified by the ion i ... More
Source: Journal of vacuum science & technology A: Vacuum, surfaces, and films. 2021. Vol. 39, № 3. P. 030802-1-030802-25
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Gallium oxide, and in particular its thermodynamically stable β-Ga2O3 phase, is within the most exciting materials in research and technology nowadays due to its unique properties. The very high break ... More
Source: Vacuum. 2021. Vol. 187. P. 110105 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The investigations of the surface physicochemical properties of polylactic acid (PLA) modified by argon, carbon and silver ion implantation to fluences of 1∙1014, 1∙1015 and 1∙1016 cm��2 and energies ... More
Source: Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", 6-10 сентября 2021 г., Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2021. С. 232-233
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол ... More
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 140
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорных дефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As) гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-x ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 220-222
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 26-31
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Создание имплантированных изотопом бора 10В слоев на элементах активной зоны ядерного реактора, вследствие аномально большого сечения захвата нейтронов, может обеспечить снижение реактивности реактора ... More
  • «
  • 1
  • »
^