В статье обобщаются результаты работы по созданию полупроводниковых структур для детекторов рентгеновских и γ-излучений на основе компенсированных хромом эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии. Приводятся сведения о параметрах слоев GaAs:Sn,Cr и структуре изготавливаемых на их основе детекторов. Обсуждаются электрические характеристики детекторов и их чувствительность к α-, β- и γ- излучениям. Отмечены проблемы, которые необходимо решить на пути создания линеек детекторов для рентгеновских диагностических систем.