Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм

doi:10.17223/00213411/67/2/1

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм	486 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/67/2/1

Title: Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм
Creator: Диб, Хазем
|
Лозовой, Кирилл Александрович
|
Коханенко, Андрей Павлович
Date: 2024
DOI: 10.17223/00213411/67/2/1
Description: Проведена оценка коэффициента усиления, полосы пропускания и эффективности поглощения лавинных фотодиодов Ge/Si с наноотверстиями для захвата фотонов с длиной волны 850 нм. Предложенная конструкция Ge/Si лавинного фотодиода с ловушками для фотонов позволяет добиться значительного увеличения усиления, полосы пропускания и эффективности поглощения. Продемонстрировано, что существует возможность улучшения отклика фотоприемника без ущерба для коэффициента усиления и быстродействия устройства. Результаты работы могут применяться для проектирования лавинных фотодиодов Ge/Si с использованием ловушечных структур с высоким усилением, быстродействием и эффективностью поглощения в перспективных технологиях, таких как флуоресцентная микроскопия с измерением времени жизни, позитронно-эмиссионная томография, квантовые коммуникационные системы, лидарные технологии и 3D-системы визуализации.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 2. С. 5-13
Language: rus