Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 66 Results

Showing items 16 - 30 of 66.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 128
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Труды Четырнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2017 г.. Томск, 2017. С. 46-50
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний Новгород. М., 2017. С. 218-219
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More
Source: The Journal of Physical Chemistry A. 2016. Vol. 120, № 45. P. 8983-8997
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Nine-dimensional potential energy surface (PES) and dipole moment surface (DMS) of the germane molecule are constructed using extended ab initio CCSD(T) calculations at 19 882 points. PES analytical r ... More
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 91-93
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems ... More
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 106, № 3. P. 032104-1-032104-4
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We report on intraband photocurrent spectroscopy of dome-shaped GeSi islands embedded in a Si matrix with n+-type bottom and top Si layers. An in-plane polarized photoresponse in the 85–160 meV energy ... More
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 107, № 21. P. 213502-1-213502-4
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We study the effect of quantum dot size on the mid-infrared photo- and dark current, photoconductive gain, and hole capture probability in ten-period p-type Ge/Si quantum dot heterostructures. The dot ... More
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 209-217
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 101, № 11. P. 750-753
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Electronic states in multilayer Ge/Si heterostructures with different periods of the arrangement of layers of Ge quantum dots have been studied by the photocurrent spectroscopy method. It has been fou ... More
Source: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 102, № 9. P. 594-598
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We study the effect of quantum dot size on the mid-infrared photocurrent, photoconductive gain, and hole capture probability in ten-period p-type Ge/Si quantum dot heterostructures. The dot dimensions ... More

Date

^