Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
фоторезисторы | время релаксации

Add to Quick Collection   All 2 Results

Showing items 1 - 2 of 2.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   High-sensitive two-layer photoresistors based on р-CdxHg1-HGxTe with a converted near-surface layer
Authors: Ismailov, N. D. | Talipov, Niyaz Kh. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 12. P. 2186-2192
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The results of an experimental study of photoelectric characteristics of two-layer photoresistors based on р-Cd x Hg1–xTe (x = 0.24−0.28) with a thin near-surface layer of n-type obtained by treatment ... More
Add   Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем
Authors: Исмайлов, Намик Джамиль оглы | Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122-127
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа пров ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^