Please be patient while the object screen loads.
Description | Size | Format | ||
---|---|---|---|---|
Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии | 611 KB | Adobe Acrobat PDF | View Details | Download |