В данной работе представлены результаты исследования спектров поглощения синтетического алмазного образца с SiV-центрами. Оптические спектры поглощения снимались в температурном диапазоне от 12 К до 470 К с шагом 10 К. Представлены графики зависимости показателей поглощения от температуры. Проанализированы линии поглощения спектрограмм и выявлены основные примесно-дефектные центры алмазного образца.