Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
концентрация электронов

Add to Quick Collection   All 2 Results

Showing items 1 - 2 of 2.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Grigor'ev, D. V. | Lyapunov, D. V. | Nesmelov, Sergey N.
Source: Russian physics journal. 2017. Vol. 60, № 1. P. 128-139
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Capacitance-voltage (C–V) characteristics of MIS structures based on the graded-gap n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) grown by molecular-beam epitaxy were experimentally studied in the temperature range of ... More
Add   Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Григорьев, Денис Валерьевич | Ляпунов, Дмитрий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 1. С. 109-118
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: В диапазоне температур 9–77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^