Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич

Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45

Type: статьи в журналах

Date: 2022

Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб ... More

Authors: Kalygina, Vera M. | Kiselyeva, O. S. | Kushnarev, Bogdan O. | Oleinik, Vladimir L. | Petrova, Julianna S. | Tsymbalov, Alexander V.

Source: Semiconductors. 2022. Vol. 56, № 9. P. 707-711

Type: статьи в журналах

Date: 2022

Description: The electrical and photovoltaic characteristics of the Ga2O3/n-GaAs structures have been studied. A gallium oxide film was obtained by HF magnetron sputtering on n-GaAs epitaxial layers with concentra ... More

Authors: Калыгина, Вера Михайловна | Киселева, Ольга Сергеевна | Кушнарев, Богдан Олегович | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цымбалов, Александр Вячеславович

Source: Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928-932

Type: статьи в журналах

Date: 2022

Description: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 ... More