Add to Quick Collection
All 4 Results
Showing items 1 - 4 of 4.
Add All Items to Quick Collection
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were fabricated by depositing an Al2O3 dielectric on
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барье
... More
Source: Technical physics letters. 2021. Vol. 47, № 9. P. 629-632
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
The admittance of test MIS structures based on nBn systems from Hg1 – xCdxTe grown by molecular beam epitaxy is investigated. Composition x in the absorbing and contact layers is 0.29; in the barrier
... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 252-254
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
Работа посвящена исследованию характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса