Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
германий
|
Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
2015
|
спектроскопия
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy
2 MB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy
Creator
Satdarov, Vadim G.
Creator
Kokhanenko, Andrey P.
Creator
Lozovoy, Kirill A.
Creator
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Contributor
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Subject
германий
кремний
квантовые точки
молекулярно-лучевая эпитаксия
спектроскопия
солнечные батареи
Date
2015
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Identifier
vtls:000500363
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000500363
Rights
Resource access is available in the premises of Research Library
Type
статьи в журналах
Source
International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296
Language
eng
4842 Visitors
4869 Hits
33 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Investigation of GeSi quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy
^ DIV >