Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
германий
|
Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
спектроскопия
|
Nikiforov, Alexander I.
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters
287 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters
Creator
Satdarov, Vadim G.
Creator
Kokhanenko, Andrey P.
Creator
Kalin, Eugeniy A.
Creator
Nikiforov, Alexander I.
Creator
Dzyadukh, Stanislav M.
Creator
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Contributor
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Subject
спектроскопия
квантовые точки
кремний
германий
наногетероструктуры
Date
2013
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000478011
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000478011
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 10/3. С. 241-242
Language
eng
2670 Visitors
2498 Hits
226 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters
^ DIV >