Add to Quick Collection
All 236 Results
Showing items 31 - 45 of 236.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 102-105
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79-87
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 1. С. 109-118
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
В диапазоне температур 9–77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 240-241
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 7. С. 8-18
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te, выращенного методом молек
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес
... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 4. С. 33-35
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Пленки n-Hg0.775Cd0.225Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-пол
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стен
... More