Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 235 Results

Showing items 61 - 75 of 235.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Type: монографии
Date: 1992
Description: Изложены физические принципы работы, технологические основы и областиприменения новых элементов оптико-электронных приборов (преобразователей лазерных частот на нелинейных кристаллах и органических со ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 7. С. 53-58
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий – ртуть – теллур p-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным из ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3-12
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, в ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования п ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 5. С. 42-48
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Описывается поведение многослойного фотодетектора с квантовыми точками германия в кремнии и его параметры при различных рабочих режимах. Рассматриваются вопросы оптимизации условий роста в методе моле ... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур ... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барье ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл ... More

Date

^