Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
молекулярно-лучевая эпитаксия
|
Войцеховский, Александр Васильевич
|
гетероэпитаксиальные слои
|
2013
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe
1 MB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe
Creator
Войцеховский, Александр Васильевич
Creator
Никитин, Михаил Степанович
Creator
Талипов, Нияз Хатимович
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Subject
гетероэпитаксиальные слои
теллурид кадмия ртути
молекулярно-лучевая эпитаксия
фотодиоды
ионная имплантация
Date
2013
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000460651
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000460651
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109
Language
rus
1647 Visitors
1338 Hits
352 Downloads
Preview
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe
^ DIV >