Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 236 Results

Showing items 91 - 105 of 236.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122-127
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа пров ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132-136
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния высокочастотного наносекундного диффузного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КР ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Изучена фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках кадмий – цинк – теллур. Из магнитополев ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-систем на основе nBn-структуры из HgCdTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013), впервые исследованы при разных частотах и ... More
Source: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 212-221
Type: статьи в сборниках
Date: 2013
Type: монографии
Date: 2021
Description: В монографии приведен анализ основных достижений в области использования архитектур полупроводниковых фотоприемных устройств, содержащих униполярные барьеры. Рассмотренные разработки демонстрируют улу ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 102-111
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 3-9
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, ... More
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Source: Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59-63
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность селективного поверхностного дефектообразования при облучении мягким рентгеновским излучением эпитаксиальных слоев Cd x Hg 1-x Te за счет избирательного воздействия излучения на от ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 364-365
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 15-21
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведено численное моделирование низкочастотных и высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе n-Hg0,70Cd0,30Te с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержани ... More

Date

^